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据称Snapdragon 830将使用10奈米制程

发表时间:2016-07-28 来源:易配网

 它可能是一个有点早谈的Snapdragon 830尚未 - 高通的顶级的线的SoC的主要刷新通常在年初发布。金鱼草820附带在今年3月推出的智能手机,我们不指望830冲击市场,直到同月的2017年。然而,这并没有从大胆声称停了leakster的的Snapdragon 830确实已经被高通的CEO确认,而且,这将是建立在10纳米制程。

据称Snapdragon 830将使用10奈米制程
据称Snapdragon 830将使用10奈米制程
 
这份报告来自于对中国社交媒体微博后。有没有多少人提及,除此之外预期的发射日期将是明年年初 - 这也可以通过一个受过教育的猜测固定。然而,10纳米制程的承诺是有点兴奋。
片上电流重量级的系统有(像高通Snapdragon 820和三星的Exynos 8890)是建立在14纳米制程。这是什么意思?它只是意味着芯片内的部件之间的距离 - 例如晶体管,电阻器和电容器,是14纳米 - 一米的1000000000分之14。从物理上讲,减少了10纳米的距离既可以开拓的空间更多的组件,或允许整体更小的芯片要建。
然而,有部件的另一个好处堆叠紧密地结合在一起。例如,如果微处理器收缩,会出现不同的晶体管之间的电容较低,增加其开关频率(处理速度),并降低其功耗 - 双赢!
因此,这份报告是如何合理的是什么?好了,我们已经被戏弄了高通的主要竞争对手 - 联发科 - 目前正在生产十溴核心芯片组,名为Helio公司X30,建立在10纳米制程。我们发现它令人难以置信的高通会允许自己以技术落后,特别是因为它已经从去年的Snapdragon 810整体过热/节流考验其恢复红点所以,我们会说这是相当合理的。但是,我们不敢希望即将到来的(传言)的Snapdragon 821将在当代的14纳米制造工艺下方的任何内容来构建。
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